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为什么选择 IC-CAP？ - 提取和测量的高级组合
- 高效、开放、灵活的软件环境和提取方法。
- 可针对您的特定环境进行定制的交钥匙提取模块。
- 根据器件创建定制模型。
- 能够链接到最常用的行业器件和电路仿真器。
- 用于一流工业标准模型的完全的从直流至射频的提取程序。
- EEsof 承诺利用完整的提取解决方案支持将来的模型标准（UI、模型、提取流程）。
- IC-CAP 支持最新的压缩建模委员会的标准模型。
- 易于使用的视窗风格的用户界面。
- 在 IC-CAP 环境中可以方便地处理大量各种提取数据并使之互相作用。
- 可以使用 Multiplot Studio 将常用的图形分组到单个窗口中。
- 各类测量仪器和仿真器的开放接口。
- IC-CAP 侧重于为最新的器件建模硬件仪器（DC、CV、RF、闪烁噪声）提供仪器驱动程序。
- 向您推荐最佳测量系统的在线资源。
- 确信您具有最佳提取结果。
- 遍布全球的技术支持中心、在线资源和培训课程。
- 拥有为器件建模领域提供的最灵活和最精确的建模环境。
全面、精确和有效的参数提取环境
IC-CAP 工作在一个开放且灵活的软件体系结构中。所有设置和宏指令都对用户开放，以方便用户自己作出修改和调整。您能使用参数提取语言建造自己的模型，或把提取方法直接置入 IC-CAP。IC-CAP 开放测量接口允许您编写自己的测量驱动程序，通过用户 C 语言控制仪器。
IC-CAP 与我们的建模系统配置一起为今天的半导体行业提供了全面和集成的建模解决方案。
IC-CAP 组件和功能
该器件建模领域采用各种技术。每种技术都具有其独特的应用范围。Agilent EEsof 提供完整的模型提取解决方案，通过该解决方案为您提供易于使用的用户界面、提取模型和提取方法。
IC-CAP 支持以下类型的模型：
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- HBT
- FET
- HEMT
- 定制模型开发
- 1/f 噪声
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点击以下链接查看更多信息：
展示先进的测量技术
器件建模不只是模型提取软件程序。建模首先以测量开始，精确描述了特殊器件的特性。
IC-CAP 提供了控制最新的精确的 DC、CV 和 S 参数仪器和与之通信的能力。通过使用 Agilent EEsof 的某种推荐的配置，您能够直接使用 IC-CAP 控制 RF 和 DC 设备测量。最终的产品是准备在 IC-CAP 中直接提取的测量数据集。
Agilent EEsof EDA 直流和射频建模在构建到 IC-CAP 建模软件环境和建模系统配置中使用的技术方面具有很长的历史，因此参与主要器件建模的许多工程师通常会选择这些工具。
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关于详细信息 ...
如何购买
请求立即提供销售帮助 - 有关选择最佳系统的帮助；有关产品配置及集成的细节；请求提供电话帮助或现场演示软件；请求提供报价 - 请单击以下链接：
配置细节
Agilent EEsof EDA 提供全方位的硬件和软件建模解决方案，以及技术和销售帮助。
单击以下链接，以获得配置 IC-CAP 参数提取和器件建模系统的细节，以及对提供的各种提取模块的说明。
相关产品
IC-CAP 2006：更智能+灵活+高效＝更完善的提取流程！
IC-CAP 2006 版是 IC-CAP 平台的巨大飞跃之一，拥有全新的性能和功能。
- IC-CAP 2006 版引入了全新的图形及绘图工具 MultiPlot Studio。通过使提取流程的细节可视化，它可使您提高建模的效率以及精度。
- 新的 BSIM4 工具包能够将您的建模提取过程缩短至一半。
- 这是在 Linux 平台上第一次引入 IC-CAP。
点击以下链接查看完整的版本信息：
平台支持
在 IC-CAP 2006 中支持以下操作系统：
- PC：MS Windows 2000 / XP
- Red Hat Enterprise WS 3.x Linux
- UNIX：HP-UX 11i、SUNOS 8、9、10。
文章
- Joe Civello, Addressing the challenges of RF device modeling for successful high-frequency design, Microwave Engineering Europe, 2003 年 12 月/2004 年 1 月。最近一期：Microwave Engineering Europe.
- Frederic Hameau and Olivier Rozeau, CEA/LETI, Radio-Frequency Circuits Integration Using CMOS SOI 0.25 µm Technology (PDF, 436 KB)。6 页技术论文。
- Frederic Hameau and Olivier Rozeau, CEA/LETI, Radio-Frequency Circuits Integration Using CMOS SOI 0.25 µm Technology (PDF, 1.7 MB)。30 页。
- C. Y. Su, et al., An Automatic Macro Program for Radio Frequency MOSFET Characteristics Analysis, Microwave Journal, 2001 年 10 月。PDF 版 (109 KB)。最近一期：Microwave Journal。
- Tzung-Yin Lee, et al., A Scaleable Model Generation Methodology of Bipolar Transistors for RF IC Design (PDF, 205 KB)。4 页技术论文，于 2001 年 10 月 2 日在美国明尼苏达州明尼阿波利斯市召开的 2001 IEEE Bipolar/BICMOS 电路与技术会议上发表。
- Dr. Franz Sischka, Applying Nonlinear RF Device Modeling To Verify S-Parameter Linearity (PDF, 386 KB)。17 页技术论文。European Microwave Week, 2001 年 9 月。
- Mark Dunn and Bob Schaefer, Isothermal Measurements and Modeling with Pulsed Modeling System (PDF, 1.5 MB)。
- Dr. Franz Sischka, Advanced Nonlinear Device Modeling Beyond Linear S-parameters (PDF, 390 KB)。
- Dan Stoneking, Agilent Technologies, Improving the manufacturability of electronic designs, IEEE Spectrum1999 年 6 月。
新闻稿
IC-CAP 用户的会议论文
- Dr. Klaus Kelting, Infineon Technologies AG, Munich, Germany, Parameter Extraction Using IC-CAP 5.3 (PDF, 1.5 MB)
- Dr. Andries Scholten, et al., Philips Research Laboratories, Eindhoven, The Netherlands, RF CMOS Parameter Extraction and Model Verification Using IC-CAP (PDF, 1.3 MB)
- Roberto Tinti, et al., 1/f Noise Parameter Extraction and Measurement System Solution (PDF, 570 KB)
- Dr. Fujiang Lin, et al., Extraction of VBIC Model for SiGe HBTs Made Easy by Going Through Gummel-Poon Model (PDF, 2.0 MB)
客户评论和成功的范例
存档的网络广播
Agilent 全球 IC-CAP 用户技术论坛网络广播：2002 年 12 月
2002 年全球 IC-CAP 用户技术论坛包括一个二小时的网络广播。现可提供全部 WebEx 记录（幻灯片和声频）。前三个网络广播为 90 分钟，第四个为 45 分钟。此外，每张幻灯片还有单独的 PDF 文件。
本次会议的内容是提高和推进 IC-CAP 的使用，共享采用 IC-CAP 的创新器件建模和表征解决方案。
Agenda. 下表列出了本次网络广播中提供的论文。为观看网络广播中存档的 WebEx 内容，请单击下面的链接：
WebEx 档案：2002 IC-CAP 用户技术论坛
| 网络广播：2002 年 12 月 18 日
8:00 AM - 8:45 AM |
用于双极压缩建模的 HICUM Aperitif 工具包
Bertrand Ardouin 博士，新兴公司-XMOD Technologies，法国波尔多市，的创始人。
PDF 文件 (985 KB), 27 页。
本论文讨论了有关双极 HICUM 模型的深入主题，重点为 IC-CAP 环境中的参数提取方法。Ardouin 博士提出了 XMOD Technologies 公司开发的 HICUM Aperitif 工具包，该工具包有助于从 SPICE-GP 模型向 HICUM 模型顺利移植。
该工具包的目的是在产生高级缩放模型参数之前，为建模工程师提供用户友好的单一结构晶体管 HICUM 模型参数提取方法。 |
| 8:45 AM - 9:30 AM |
重见 BSIM3 设备建模包
Thomas Gneiting 博士，高级建模解决方案公司（德国斯图加特市）的创始人。
PDF 文件 (684 KB), 35 页。
Gneiting 博士提出了 BSIM3 参数提取工具包的增强版本，具有下面几种新的特性：
- 经过重新设计的用户界面采用了 IC-CAP Studio。
- 经过改善的数据库管理功能可兼容 BSIM4 建模包。
- 一种新型、可完全升级的 RF 宏模型。
这种观点认为，这是一种新型的微调方法，用户可借此通过非常灵活和方便的方式生成他们自己的最终优化方案。
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| 9:30 AM - 10:00 AM |
IC-CAP studio 应用示例：Corner 模型生成器
Zheng Zeng 博士，器件建模经理，美国加州桑尼维尔市 UMC。
PDF 文件 (736 KB), 13 页。
自从 2001 年引入之后，IC-CAP Studio 已成为一种令人振奋的新型工具，它使 IC-CAP 的用户能够为其器件建模过程和方法开发定制的图形用户界面 (GUI) 。
在其演讲中，Zheng Zeng 博士为我们展示了一种设计完美的 Corner 模型生成器，这种生成器非常直观，他的同事也能够充分利用。这是一种精心组织的图形用户界面网络，它能够通过点击鼠标执行 IC-CAP 功能或者实现转换。
对于 Zheng Zeng 博士及其同事而言，使用 IC-CAP Studio 开发的图形用户界面使这种 corner 模型的生成过程更易于理解和使用。这个例子展现了 IC-CAP Studio 的强大力量，您可在工作中使用该工具，也可以帮助其他人缩短处理和理解过程流程的时间。 |
Agilent 全球 IC-CAP 用户大会网络广播：2001 年 12 月
2001 年度全球 IC-CAP 用户大会包括四个网络广播。现可提供全部 WebEx 记录（幻灯片和声频）。前三个网络广播为 90 分钟，第四个为 45 分钟。
本次会议的内容是提高和推进 IC-CAP 的使用，共享采用 IC-CAP 的创新器件建模和表征解决方案。
议程。下表列出了本次网络广播中提供的论文。要观看网络广播中归档的 WebEx 内容，请单击下面的链接：
WebEx 档案：2001 IC-CAP 用户大会
| 网络广播 1：2001 年 12 月 10 日
8:00 AM - 8:45 AM | MEXTRAM 504 模型提取 - J. C. J. Paasschens 博士, Philips 研究实验室，荷兰艾恩德霍芬市。 |
| 8:45 AM - 9:30 AM | 使用 IC-CAP （ADS 模型） - Walter Curtice 博士, W. R. Curtice Consulting, Washington Crossing, 美国宾夕法尼亚州。 |
| 网络广播 2：2001 年 12 月 11 日
8:00 AM - 8:45 AM | EKV Model V. 2.6 以及提取方法 - Wladek Grabinski 博士, Motorola, Inc.,瑞士日内瓦。 |
| 8:45 AM - 9:30 AM | IC-CAP BSIM4 建模 - Thomas Gneiting 博士,高级建模解决方案公司，德国斯图加特市。 |
| 网络广播 3：2001 年 12 月 12 日
8:00 AM - 8:45 AM | MOSFET SP 模型 - Gennady Gildenblat 教授,美国宾夕法尼亚州，宾夕法尼亚州大学，州立学院。 |
| 8:45 AM - 9:30 AM | 基于表面电势的压缩 MOS 模型参数提取 - R. van Langevelde 博士, Philips 研究实验室，荷兰艾恩德霍芬市。 |
| 网络广播 4：2001 年 12 月 13 日
8:00 AM - 8:45 AM | 一种用于 HICUM 模型参数提取的 IC-CAP 工具包 - Thomas Zimmer 以及 Bertrand Ardouin 博士，法国泰兰波尔多大学。 |
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