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Advanced Design System 2003C - Agilent HBT モデル

Agilent HBTモデルは、III-V族（GaAsとInP）HBT専用に設計された新しいノンリニア回路シミュレーション・モデルです。これは「UCSDモデル」と呼ばれているDARPA/UCSD HBTモデルに導入されている重要な化合物半導体の物理モデルに基づいています。

このモデルに対する重要な改良やADSでの堅牢な実装が達成されました。これにより、Agilent HBTは、III-V族HBT技術における正確なプロダクト・デザインが可能になり、SiベースのBJTモデルや大学で開発されたコードに代わるより好ましい方法となります。

この新しいモデルを使用すると、高周波ICデザインにおけるシミュレーションの確度と収束性を向上させ、デザイン・サイクルの回数を減らすことができます。

Masaya Iwamoto and David Root, Agilent Technologies, Agilent HBT: A Large-Signal Model for GaAs and InP HBTs, 60-slide technical presentation. October 2003. (PDF, 1.3 MB)

Masaya Iwamoto, et al., Large-Signal HBT Model with Improved Collector Transit Time Formulation for GaAs and InP Technologies, IEEE Microwave Symposium Digest, 2003 IEEE MTT-S International, 8 - 13 June 2003. 4-page technical paper.

モデル抽出

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代表的な f_T 対 I_c特性

Agilent HBTモデルはコレクタ電圧バイアスV_ceの広い範囲に渡って複合f_T 対 I_c特性に対応しています。

モデル抽出はADSの回路シミュレーションを成功させるために非常に重要な機能です。最も正確な結果を得るには、測定データからモデル・パラメータを抽出します。モデル・パラメータの抽出が必要なエンジニアのために、Agilentでは次の2つのオプションを計画しています。

Agilentでのパラメータ抽出。1つ目のオプションはデバイス・モデリング・サービスです。Agilentではモデル抽出をシンガポール・モデリング・センタとカリフォルニア州サンタ・ローザのAgilentの工場で行います。GaAsファンダリを備えたサンタ・ローザ施設はこのモデルが開発された場所でもあります。
社内モデリング。2つ目のオプションは、社内にモデリング設備を既に持っているファンダリや企業向けです。Agilentはモデルと抽出プロセスについてトレーニングを行います。このトレーニング・サービスには、Agilentのデバイス・モデリング・ソフトウェアIC-CAP（ICの特性評価および解析プログラム）用の抽出ツールとお客様のデバイスの初期抽出が含まれます。また、既に複数のGaAsおよびInPの最先端ファンダリがAgilent HBTモデルを使用するプロセス・デザイン・キットの提供を開始しようとしています。